第三代半导体在新能源汽车上的应用越来越广泛,第四代半导体也蓄势待发。然而,新型功率模块故障率偏高,研发与验证时间短,国内生产整体良率不高,沟槽型MOS进展滞后,高端制造装备和核心原材料依赖进口等问题仍然存在,封装技术尚有很多提升空间。此外,车用功率模块封装需求离散,产业合作与资源整合有待加强。
完全由汽车行业权威机构发起,需求端参与策划并重度参与的第四届新能源汽车及功率半导体协同创新技术论坛(含展览)将于2025年6月12-13日与TMC大会同期同地举办。 论坛将聚集政府、全球整车、动力总成、电机电控、功率半导体企业、高校和研究机构等400-500名代表,针对上述技术难点及产业痛点问题,研讨创新技术和解决方案,以期加快先进功率半导体在新能源汽车领域的推广。
●全球第三代、第四代车规级功率半导体技术趋势与产业发展
●中国车规级宽禁带半导体发展机遇与挑战
●第四代半导体在新能源汽车中的应用趋势
●SiC/GaN在电驱系统中的创新型应用
●SiC/GaN在电源管理模块中的应用(OBC、DCDC)
●混合模块的技术趋势与可靠性分析
●先进的车规级 SiC 功率模块封装技术
●车规级SiC功率模块可靠性测试与失效分析
●大尺寸衬底、外延、芯片高良率制造方案
●功率芯片新型结构设计及制造技术
●助力良率提升的先进生产制造设备
●芯片与功率模块新型封装材料/散热材料/键合材料/密封材料及其应用
●功率半导体器件及模块(SiC/IGBT/GaN功率模块、IGBT、GaN HEMT、SiC MOSFET、SBD 、电容等)
●衬底外延( SiC、GaN )
●封装、散热、键合、密封材料(封装外壳、封装胶水、环氧树脂、导热硅脂、烧结银、陶瓷基板等)
●电源管理模块(OBC、DCDC)
●高压连接器、高压线束、继电器、熔断器、高压接触器等
●检测、生产相关设备(功率循环试验系统、长晶炉、烧结、点胶、清洗、切割等)
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