IGBT产品

1、可应用于电驱系统中，是驱动电路的核心 2、电压范围600V~1700V，电流范围50A~3600A，全面覆盖汽车应用对IGBT的需要； 3、IGBT芯片多采用沟槽栅+场截止层结构，最新的第七代芯片（TRENCHSTOP?）在沟槽栅+场截止层结构的基础上采用微沟槽技术，使得器件的导通损耗和开关损耗大幅降低,并具有更高可控性； 4、采用军用标准进行产品可靠性把控，产品一致性及质量有明显优势； 5、可根据用户需要进行定制化芯片及封装开发，配合度高，灵活性强 6、可提供不同IGBT产品对应的驱动解决方案，便于用户使用

量产

电驱控制系统

SiC MOSFET产品

1、可应用于电驱系统中，是驱动电路的核心 2、电压范围600V~1700V，电流范围15A~800A，全面覆盖汽车应用对SiC MOSFET的需要； 3、低导通电阻设计，最新芯片导通电阻低至7mΩ； 4、在1700V电压基础上，开发2000V电压产品，可进一步提升应用平台的电压； 5、采用军用标准进行产品可靠性把控，产品一致性及质量有明显优势； 6、可根据用户需要进行定制化芯片及封装开发，配合度高，灵活性强 7、可提供不同SiC MOSFET产品对应的驱动解决方案，便于用户使用

量产

电驱控制系统