杭州镓仁半导体有限公司

杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心,已形成一支以中科院院士为首席顾问,具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。镓仁半导体引领行业创新,成功首创铸造法等氧化镓单晶生长新技术,并实现6英寸单晶衬底及2英寸(010)单晶衬底的生产技术突破。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术,获得十余项国际、国内发明专利,助力国内氧化镓相关产业摆脱国际垄断和封锁。为客户提供拥有完全自主知识产权的高品质氧化镓衬底产品。

产品1
技术/产品/材料/工艺名称

6英寸氧化镓单晶衬底

产品/技术创新亮点

1. 首创铸造法技术路线: 国内最大尺寸氧化镓单晶衬底; 2. 高质量、低缺陷密度: XRD半高宽低至50弧秒,缺陷密度小于10^4/平方厘米; 3. 掺杂多样,电学性能可调: 为客户提供定制化服务。

所处开发阶段

小批量量产

应用领域

高压功率器件、射频器件、日盲探测器件。

展品配图

产品2
技术/产品/材料/工艺名称

2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

产品/技术创新亮点

1. 国内首创晶圆级(010)晶面氧化镓衬底; 2. 高阻半绝缘衬底,电阻率高达10^10 Ω cm。

所处开发阶段

小批量量产

应用领域

高压功率器件、射频器件、日盲探测器件

展品配图

产品3
技术/产品/材料/工艺名称

氧化镓籽晶

产品/技术创新亮点

籽晶的晶向、尺寸、电学性能等可根据客户需求定制

所处开发阶段

量产

应用领域

高压功率器件、射频器件、日盲探测器件

展品配图

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