集成DESAT保护的智能隔离式栅极驱动器NSI6611

纳芯微NSI6611可提供分离输出，分别控制上升和下降时间，且支持轨到轨输出，并可以提供最大10A/10A的拉灌电流能力。提供完善的保护功能，如UVLO、Miller钳位、DESAT保护、软关断功能，且短路故障或欠压发生时，通过单独的引脚报告。支持ASC功能，可用于在紧急情况下强制输出为高。它支持最小150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)，提高系统鲁棒性。驱动器侧最大耐压为35V，而输入侧则接受3V至5.5V的电源电压。

量产

新能源汽车主驱逆变器系统

1200V系列SiC MOSFET

纳芯微1200V系列SiC MOSFET产品，覆盖80mΩ、60mΩ、40mΩ、22mΩ等规格，可满足电动汽车用OBC/DCDC，电动汽车充电桩，光伏及储能逆变器等汽车和工业应用对高压，高性能，高可靠的SiC MOSFET的需求。具有RDSon温度稳定性卓越、开关速度快和可靠性高的特点。主要封装形式为TO247-4L、TO263-7L及其他车工规领域常见封装。其中，我们的通孔封装和表面贴装封系列产品配有开尔文源引脚，用于优化开关性能。

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新能源汽车充电桩，OBC/DCDC

第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器NSI6602V

NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。typical 150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大耐压为30V，而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。

量产

电机驱动和EV充电